Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

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Resultados: 18

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D1N04XMT1G
onsemi
1: $2.485
2.494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS1D1N04XMT1G

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863-NTMFS1D1N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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2.494En existencias

Cinta cortada

$2.485

$1.595

$1.084

$865

$731

Envase tipo carrete

$731

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D1N08XT1G
onsemi
1: $3.446
11.024En existencias
6.000Se espera el 07-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D1N08XT1G

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863-NTMFS2D1N08XT1G

onsemi

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11.024En existencias

6.000Se espera el 07-07-2026

Cinta cortada

$3.446

$2.239

$1.554

$1.329

$1.227

Envase tipo carrete

$1.145

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.040

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS2D3N04XMT1G
onsemi
1: $1.728
5.932En existencias

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NTMFS2D3N04XMT1G

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863-NTMFS2D3N04XMT1G

onsemi

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Cinta cortada

$1.728

$1.104

$732

$576

$526

Envase tipo carrete

$526

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

111 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

22.1 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D4N04XMT1G
onsemi
1: $4.151
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6.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D4N04XMT1G

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863-NTMFS0D4N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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102En existencias

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Cinta cortada

$4.151

$2.710

$1.994

Envase tipo carrete

$1.994

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 390

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

509 A

420 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XMT1G
onsemi
1: $3.701
119En existencias
7.500Se espera el 17-07-2026

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NTMFS0D5N04XMT1G

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863-NTMFS0D5N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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119En existencias

7.500Se espera el 17-07-2026

Cinta cortada

$3.701

$2.413

$1.687

$1.391

$1.237

Envase tipo carrete

$1.237

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

414 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

97.5 nC

- 55 C

+ 175 C

163 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D3N04XMT1G
onsemi
1: $2.229
245En existencias
1.500Se espera el 21-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS1D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS1D3N04XMT1G

onsemi

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245En existencias

1.500Se espera el 21-08-2026

Cinta cortada

$2.229

$1.421

$953

$772

$692

Envase tipo carrete

$692

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

38.5 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

NTMFS3D2N10MDT1G
onsemi
1: $4.775
2.067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D2N10MDT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D2N10MDT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

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2.067En existencias

Cinta cortada

$4.775

$3.149

$2.229

$1.912

$1.871

Envase tipo carrete

$1.871

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

142 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

155 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

NTTFS012N10MDTAG
onsemi
1: $2.433
4.540En existencias
4.500Se espera el 29-06-2026

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NTTFS012N10MDTAG

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863-NTTFS012N10MDTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

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4.540En existencias

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$2.433

$1.564

$1.063

$844

$713

Envase tipo carrete

$713

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

WDFN-8

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D6N04XMT1G
onsemi
1: $3.436
35En existencias
4.500Se espera el 08-06-2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D6N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D6N04XMT1G

onsemi

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35En existencias

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Cinta cortada

$3.436

$2.239

$1.544

$1.278

$1.125

Envase tipo carrete

$1.125

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86.4 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D7N04XMT1G
onsemi
1: $2.689
180En existencias
21.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D7N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D7N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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180En existencias

21.000En pedido

Cinta cortada

$2.689

$1.738

$1.217

$949

Envase tipo carrete

$816

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

323 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

72.1 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D5N08XT1G
onsemi
1: $3.170
30En existencias
16.500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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30En existencias

16.500En pedido

Cinta cortada

$3.170

$2.045

$1.462

$1.186

Envase tipo carrete

$1.186

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS3D1N04XMT1G
onsemi
1: $1.564
51En existencias
1.500Se espera el 24-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D1N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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Hoja de datos

51En existencias

1.500Se espera el 24-07-2026

Cinta cortada

$1.564

$984

$653

$511

$413

Envase tipo carrete

$413

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS4D0N08XT1G
onsemi
1: $2.168
6En existencias
10.500Se espera el 11-09-2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D0N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Hoja de datos

6En existencias

10.500Se espera el 11-09-2026

Cinta cortada

$2.168

$1.350

$908

$720

Envase tipo carrete

$720

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 780

: 1.500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

21 nC

- 55 C

+ 170 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

NTBLS0D8N08XTXG
onsemi
1: $8.159
11.698En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTBLS0D8N08XTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS0D8N08XTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

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Hoja de datos

11.698En pedido

Cinta cortada

$8.159

$5.532

$4.264

$3.916

Envase tipo carrete

$3.650

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

457 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

174 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D0N08XT1G
onsemi
1: $2.904
11.973Se espera el 17-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D0N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Hoja de datos

11.973Se espera el 17-07-2026

Cinta cortada

$2.904

$1.871

$1.278

$1.033

$900

Envase tipo carrete

$900

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

154 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
1: $2.454
2.997Se espera el 09-04-2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Hoja de datos

2.997Se espera el 09-04-2027

Cinta cortada

$2.454

$1.595

$1.043

Envase tipo carrete

$1.043

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 170

: 1.500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

NTMFWS1D5N08XT1G
onsemi
1: $4.121
5.880En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFWS1D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFWS1D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

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Hoja de datos

5.880En pedido

Cinta cortada

$4.121

$2.699

$1.943

Envase tipo carrete

$1.943

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270

: 1.500

SMD/SMT

SO8FL-8

N-Channel

1 Channel

80 V

253 A

1.43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

NTMFS4D2N10MDT1G
onsemi
1: $3.712
Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D2N10MDT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D2N10MDT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

Cinta cortada

$3.712

$2.382

$1.759

$1.472

$1.237

Envase tipo carrete

$1.237

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

100 V

113 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tecnología PowerTrench

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