Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

Resultados: 18
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
1.032En existencias
21.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.500
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 119 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 21 nC - 55 C + 170 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
125En existencias
4.500Se espera el 09-04-2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86.4 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
4.183En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 111 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
113En existencias
16.500Se espera el 05-01-2028
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 414 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 97.5 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
724En existencias
19.500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 323 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 72.1 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
271En existencias
40.500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.500
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL
Hoja de datos
1.317En existencias
1.500Se espera el 07-09-2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 280
: 1.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 142 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 155 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL
Hoja de datos
9.293En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si WDFN-8 PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
17En existencias
3.000Se espera el 06-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
62En existencias
6.000Se espera el 23-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
19En existencias
31.500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.500
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 154 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
26En existencias
1.500Se espera el 16-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 15.6 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
Hoja de datos
28.583En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 457 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 174 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
15.903En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.500
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 181 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 53 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF
Hoja de datos
12.755En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.500
: 1.500

Si SMD/SMT SO8FL-8 N-Channel 1 Channel 80 V 253 A 1.43 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 83 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
5.907En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 133 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
5.897En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 113 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel