DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 54En existencias
2.500Se espera el 03-12-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 9.2 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 2.743En existencias
20.000Se espera el 13-08-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000
Si SMD/SMT V-DFN3030-8 N-Channel, NPN 2 Channel 60 V 8.8 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 13.9 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 32En existencias
6.000Se espera el 19-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT V-DFN3030-8 N-Channel 2 Channel 60 V 8.8 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 13.9 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 9En existencias
5.000Se espera el 17-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 14.1 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 30 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 1.769En existencias
2.500Se espera el 19-02-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 360
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 28.9 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 31.8 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 411En existencias
2.000Se espera el 19-03-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 45 A 9.5 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 33.5 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF 2.434En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 80 V 9.5 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A 946En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 44 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 24 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 1.220En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 80 V 9.7 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 34 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 34En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 114 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V 93En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 111.7 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 41En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 108 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 58.4 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 53.7 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 279En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56.4 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V 100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 141En existencias
5.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56.4 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 122En existencias
2.500Se espera el 19-02-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 240
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 51.7 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 21 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 3.145En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 75 A 4 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 529En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 170 A 2.2 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 68 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 356En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 31En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 3.7mOHm 10Vgs 100A 428En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 7.3mOhm 10Vgs 70A 1.533En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 29.1 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 453En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A 861En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-C-8 N-Channel 2 Channel 40 V 45 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 4.620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 64.8 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 55.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel