Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SkyFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SkyFET® Power MOSFETs integrate a MOSFET and a Schottky diode and are ideal for increasing efficiency at light loads and higher frequencies to reduce power losses in servers, notebooks, and VRMs. Their low V_F and Q_rr provide an advantage over standard trench MOSFETs. Other features include increased efficiency for DC-DC converter applications, reduced space by eliminating external Schottky diodes, low-side switch for synchronous rectification, and reduced power losses linked to the body diode of the MOSFET. Typical applications for Vishay / Siliconix SkyFET Power MOSFETs include point of load (PoL), synchronous rectification, VRM, synchronous buck low side for core voltages, and graphics cards.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRC10DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SIRC10DP-T1-GE3

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78-SIRC10DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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$2.127

$1.319

$863

$678

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$526

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

3.5 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ998DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.577
5.723En existencias

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SIZ998DT-T1-GE3

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78-SIZ998DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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$2.577

$1.656

$1.135

$903

$830

Envase tipo carrete

$780

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A, 60 A

4.7 mOhms, 2.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

18 nC, 44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

20.2 W, 32.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ980DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIZ980DT-T1-GE3

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78-SIZ980DT-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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$2.382

$1.534

$1.043

$826

$759

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$700

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: 3.000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A, 60 A

4.7 mOhms, 1.1 mOhms

- 16 V, 20 V

1.2 V, 1.1 V

18 nC, 77 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W, 66 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA02DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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$2.832

$1.830

$1.258

$1.010

$943

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$893

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

50 A

1.65 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

71.4 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS780DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.319
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SIS780DN-T1-GE3

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78-SIS780DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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$1.319

$938

$583

$402

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$304

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: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

18 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

27.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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SI7772DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI7772DP-T1-GE3

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781-SI7772DP-GE3

Vishay Semiconductors

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$1.309

$818

$539

$418

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$307

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: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35.6 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18.5 nC

- 55 C

+ 150 C

29.8 W

Enhancement

TrenchFET

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SIZF918DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIZF918DT-T1-GE3

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78-SIZF918DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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$2.638

$1.697

$1.155

$925

$852

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$804

MouseReel Disponible

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: 3.000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

30 V

40 A, 60 A

6.8 mOhms, 2.7 mOhms

- 12 V, 16 V

1.1 V, 1 V

14.6 nC, 37 nC

- 50 C

+ 150 C

26.6 W, 50 W

Enhancement

TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF914DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SIZF914DT-T1-GE3

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78-SIZF914DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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$2.587

$1.534

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$800

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: 3.000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

25 V

40 A, 60 A

6.2 mOhms, 1.5 mOhms

- 12 V, 16 V

1.1 V

14 nC, 65 nC

- 50 C

+ 150 C

26.6 W, 60 W

Enhancement

TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V(S1-S2)

SIZ998BDT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SIZ998BDT-T1-GE3

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78-SIZ998BDT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V(S1-S2)

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Cinta cortada

$2.035

$1.299

$873

$691

$633

Envase tipo carrete

$564

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: 3.000

SMD/SMT

N-Channel

2 Channel

30 V

54.8 A, 94.6 A

33.8 mOhms, 43.9 mOhms

- 16 V, 20 V

2.2 V

12 nC, 31.1 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W, 32.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SIZF916DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.382
1.028En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF916DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF916DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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Cinta cortada

$2.382

$1.534

$1.043

$826

Envase tipo carrete

$672

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: 3.000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

30 V

40 A, 60 A

12.7 mOhms, 6.58 mOhms

- 12 V, 16 V

1.1 V

14.6 nC, 62 nC

- 55 C

+ 150 C

26.6 W, 60 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4816BDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI4816BDY-T1-GE3

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781-SI4816BDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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$2.587

$1.646

$1.135

$908

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$786

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6.8 A, 11.4 A

11.5 mOhms, 18.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7.8 nC, 11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W, 2.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRC06DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
6.000: $396
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SIRC06DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRC06DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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$396

Min.: 6.000
Mult.: 3.000

: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

38.5 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISC06DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
6.000: $473
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISC06DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISC06DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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$473

Min.: 6.000
Mult.: 3.000

: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

38.5 nC

- 55 C

+ 150 C

46.3 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel

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