Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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RH6 N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH6 N-Channel Power MOSFETs offer low on-resistance in a small, high-power, 8-pin, surface mount molded package (HSMT-8). The RH6 MOSFETs feature a 59W power dissipation and a -55°C to +150°C operating temperature range. The RH6 N-Channel Power MOSFETs are designed for switching applications.

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Resultados: 9

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET

RH6P040BHTB1
ROHM Semiconductor
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RH6P040BHTB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET

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$2.781

$1.718

$1.247

$998

$929

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$868

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

15.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH

RH6R025BHTB1
ROHM Semiconductor
1: $2.863
5.849En existencias

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ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH

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Cinta cortada

$2.863

$1.738

$1.268

$1.019

$952

Envase tipo carrete

$892

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

150 V

25 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

RH6G040CGTB1
ROHM Semiconductor
1: $2.198
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

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Cinta cortada

$2.198

$1.411

$951

$756

$692

Envase tipo carrete

$624

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

135 A

2.4 mOhms

20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A

RH6R040CHTB1
ROHM Semiconductor
1: $2.311
2.376En existencias
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$2.311

$1.483

$1.002

$798

$732

Envase tipo carrete

$666

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

150 V

40 A

38 mOhms

20 V

4 V

11.3 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

RH6G040CHTB1
ROHM Semiconductor
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$1.114

$889

$817

Envase tipo carrete

$759

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

135 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)

RH6N040BHTB1
ROHM Semiconductor
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755-RH6N040BHTB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)

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Cinta cortada

$2.505

$1.616

$1.104

$875

$805

Envase tipo carrete

$745

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

80 V

65 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET

RH6E040BGTB1
ROHM Semiconductor
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RH6E040BGTB1

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755-RH6E040BGTB1

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Cinta cortada

$2.444

$1.564

$1.063

$849

$779

Envase tipo carrete

$718

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

30 V

125 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A

RH6L040BGTB1
ROHM Semiconductor
1: $3.057
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3.000Se espera el 03-09-2026

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RH6L040BGTB1

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755-RH6L040BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A

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3.000Se espera el 03-09-2026

Cinta cortada

$3.057

$1.984

$1.370

$1.104

$1.043

Envase tipo carrete

$973

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

60 V

65 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18.8 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A

RH6G040BGTB1
ROHM Semiconductor
1: $2.761
4.985En existencias

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RH6G040BGTB1

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755-RH6G040BGTB1

ROHM Semiconductor

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$2.761

$1.748

$1.217

$974

$903

Envase tipo carrete

$849

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

HSMT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

95 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

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