Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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RH6 N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH6 N-Channel Power MOSFETs offer low on-resistance in a small, high-power, 8-pin, surface mount molded package (HSMT-8). The RH6 MOSFETs feature a 59W power dissipation and a -55°C to +150°C operating temperature range. The RH6 N-Channel Power MOSFETs are designed for switching applications.

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH RH6R025BHTB1 ROHM Semiconductor 1: $3.074 5.738En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6R025BHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6R025BHTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V 25A N-CH Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	5.738En existencias	Cinta cortada $3.074 $1.526 $1.361 $1.096 $1.027 Envase tipo carrete $971	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	150 V	25 A	60 mOhms	20 V	4 V	16.7 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor 1: $3.019 4.914En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6P040BHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6P040BHTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 40A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	4.914En existencias	Cinta cortada $3.019 $1.493 $1.340 $1.073 $1.039 Envase tipo carrete $944 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	100 V	40 A	15.6 mOhms	20 V	4 V	16.7 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A RH6G040CHTB1 ROHM Semiconductor 1: $2.734 3.000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RH6G040CHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6G040CHTB1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	3.000En existencias	Cinta cortada $2.734 $1.329 $1.197 $954 $926 Envase tipo carrete $820	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	40 V	135 A	2.5 mOhms	20 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 175 C	93 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A RH6R040CHTB1 ROHM Semiconductor 1: $2.481 2.970En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RH6R040CHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6R040CHTB1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 150V 40A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	2.970En existencias	Cinta cortada $2.481 $1.208 $1.076 $856 $826 Envase tipo carrete $720	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	150 V	40 A	38 mOhms	20 V	4 V	11.3 nC	- 55 C	+ 175 C	93 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A RH6G040CGTB1 ROHM Semiconductor 1: $2.361 1.668En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante RH6G040CGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6G040CGTB1 Nuevo producto	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	1.668En existencias	Cinta cortada $2.361 $1.142 $1.021 $811 $777 Envase tipo carrete $674	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	40 V	135 A	2.4 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	93 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET RH6E040BGTB1 ROHM Semiconductor 1: $2.624 2.680En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6E040BGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6E040BGTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	2.680En existencias	Cinta cortada $2.624 $1.274 $1.142 $911 $885 Envase tipo carrete $776	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	30 V	125 A	2.9 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive) RH6N040BHTB1 ROHM Semiconductor 1: $2.690 2.819En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6N040BHTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6N040BHTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 80V(Vdss), 4.0A(Id), (6.0V, 10V Drive) Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	2.819En existencias	Cinta cortada $2.690 $1.318 $1.186 $940 $910 Envase tipo carrete $806	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	80 V	65 A	8.3 mOhms	20 V	4 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor 1: $3.283 3.375En existencias	N.º de artículo del Fabricante RH6L040BGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6L040BGTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 65A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	3.375En existencias	Cinta cortada $3.283 $1.625 $1.471 $1.186 $1.153 Envase tipo carrete $1.060 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	60 V	65 A	7.1 mOhms	20 V	2.5 V	18.8 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor 1: $3.074 1.675En existencias 3.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante RH6G040BGTB1 N.º de artículo de Mouser 755-RH6G040BGTB1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 95A Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm rh6 mosfets	Hoja de datos	1.675En existencias 3.000En pedido	Cinta cortada $3.074 $1.746 $1.350 $1.142 $1.054 Envase tipo carrete $918 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	HSMT-8	N-Channel	1 Channel	40 V	95 A	3.6 mOhms	20 V	2.5 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	59 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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