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STP80N600K6

Name: STMicroelectronics STP80N600K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N600K6
Price: 3446 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STP80N600K6

Fabricante N.º:

STP80N600K6

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

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	$1.748	$17.480
	$1.605	$160.500
	$1.309	$654.500
	$1.104	$1.104.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	600 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	10.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	86 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Tiempo de caída:	12.6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.1 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	28.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns
Peso de la unidad:	2 g

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PCN

SPICE Models

STP80N600K6 (Cierre)

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Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STP80N600K6 MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N600K6 MDmesh K6 Power MOSFET offers a very high voltage, N-channel power solution utilizing the ultimate MDmesh K6 technology. This K6 technology is based on 20 years of STMicroelectronics experience in super junction technology. The result of this technology allows the STMicro STP80N600K6 to feature best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications demanding superior power density and high efficiency.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.