DMT3006LFDF-7

Diodes Incorporated
621-DMT3006LFDF-7
DMT3006LFDF-7

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-2020-6
N-Channel
1 Channel
30 V
14.1 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
16.7 nC
- 55 C
+ 150 C
2.1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Diodes Incorporated
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 6,750 mg
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

DMT3006LFDF-7 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMT3006LFDF-7 MOSFET is a 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET designed with a 0.6mm profile and 4mm2 footprint. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, the DMT3006LFDF-7 MOSFET minimizes on-state resistance while maintaining excellent switching performance. The MOSFET offers a 5.8mΩ to 15mΩ on-state resistance, 1V to 3V gate threshold voltage, 12.5A to 14.1A continuous drain current, and 2.1W power dissipation. Switching performance includes a 4.6ns turn-off fall time, 5.5ns turn-on rise time, a typical 13.5ns turn-off delay time, a typical 3.5ns turn-on delay time, and 19.3 reverse recovery time. The 30V DMT3006LFDF-7 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET design makes the device ideal for high-efficiency power-management applications.

DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

En existencias: 268

Existencias:
268
Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
21.000
Se espera el 12-03-2027
Plazo de entrega de fábrica:
40
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 3000
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
$1.041 $1.041
$622 $6.220
$440 $44.000
$331 $165.500
$279 $279.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$209 $627.000
† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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