NXH010P120MNF1 SiC Module

onsemi NXH010P120MNF1 SiC Module contains a 10Mohm 1200V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 18-20V. The NXH010P120MNF1 has an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance.

Resultados: 4
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
Hoja de datos
23En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
SiC NXH010P120MNF1 Tray

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED + TIM)
Hoja de datos
1.148Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 28
Mult.: 28
SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Hoja de datos
56Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 114 A 14 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 413 W NXH010P120MNF1 Tray
onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
Hoja de datos
168Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray