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STN6N60M2

Name: STMicroelectronics STN6N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STN6N60M2
Price: 985 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STN6N60M2

Fabricante N.º:

STN6N60M2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$985	$985
	$612	$6.120
	$400	$40.000
	$308	$154.000
	$279	$279.000
	$254	$508.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)
	$227	$908.000
	$226	$1.808.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.2 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	6.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	6 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	110 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STN6N60M2 MDmesh M2 Power MOSFET

STMicroelectronics STN6N60M2 MDmesh M2 Power MOSFET is an N-channel power MOSFET with low on-resistance and optimized switching characteristics. It was developed using MDmesh M2 technology. The STMicroelectronics STN6N60M2 MOSFET offers an extremely low gate charge and excellent output capacitance (C_oss) profile. It is Zener-protected and 100% avalanche-tested. The STN6N60M2 MOSFET is ideal for switching applications.