SuperFET® II Power MOSFETs

onsemi SuperFET® II Power MOSFETs are a high voltage MOSFET family utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. SuperFET II MOSFETs are suitable for various AC-DC power conversion in switching mode operation for system miniaturization and high efficiency.

Resultados: 28
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
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5.870En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.6 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V
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1.475En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 58 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 600V Fast ver
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791En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 104 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CHAN MOSFET
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1.250En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10.2 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
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1.990En existencias
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Máx.: 40

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 30.5 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 110mohm
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779En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 98 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V 400mohm
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4.520En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
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715En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 23 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
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3.308En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 57 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
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799En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 104 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
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2.790En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.6 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V 290 mOhm
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718En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 58 nC - 55 C + 150 C 44 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
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1.322En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 126 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
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4.960En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
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971En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 28.4 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
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417En existencias
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Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 229 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET II UniFET FRFET Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
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385En existencias
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 58 nC - 55 C + 150 C 212 W Enhancement SuperFET II Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
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806En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.3 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 16.2 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET
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889En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 128 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
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409En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 98 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
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424En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 57 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
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786En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CHAN MOSFET
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1.729En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.6 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2, 190mohm
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1.279En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.2 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 74 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
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242En existencias
2.500Se espera el 07-08-2026
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Min.: 1
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 3.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.4 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement SuperFET II Reel, Cut Tape, MouseReel