Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 19
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V 645.145En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOT-323-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 85.831En existencias
126.000Se espera el 12-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 44.801En existencias
42.000Se espera el 29-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 53.805En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet 18.899En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET 37.432En existencias
78.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET 50.313En existencias
30.000Se espera el 29-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A 4.177En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A 5.494En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 5.127En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 18.115En existencias
72.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V 7.244En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet 3.536En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 1.406En existencias
12.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP-6
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
5.001En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
80.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOD-523-2
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
15.033Se espera el 12-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT SOD-323
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba 1SS403TPH3F
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q No en existencias
Min.: 6.000
Mult.: 6.000
: 3.000

Diodes - General Purpose, Power, Switching SMD/SMT USC-2