STGWA75H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA75H65DFB2
STGWA75H65DFB2

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
115 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marca: STMicroelectronics
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 6,100 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT is an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The HB2 series optimizes conduction with premium VCE(sat) at low current values and reduced switching energy. The STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT features a low VCE(sat) of 1.55V (typical) at an IC of 75A.

Disponibilidad

Existencias:
0

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En pedido:
600
Se espera el 31-07-2026
Plazo de entrega de fábrica:
14
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$5.763 $5.763
$3.229 $32.290
$2.671 $267.100
$2.324 $1.394.400

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