PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Tecnología
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 340En existencias
Cinta cortada
$11.347
$6.255
$5.844
$4.774
Envase tipo carrete
$4.762
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800
SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 880En existencias
Cinta cortada
$8.157
$5.355
$3.942
$3.498
$3.315
Envase tipo carrete
$2.803
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 949En existencias
Cinta cortada
$6.847
$4.489
$3.349
$2.803
Envase tipo carrete
$2.290
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 900En existencias
Cinta cortada
$5.776
$4.124
$3.099
$2.985
Ver
Envase tipo carrete
$2.142
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 987En existencias
Cinta cortada
$4.591
$2.336
$2.119
$1.743
Envase tipo carrete
$1.435
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 970En existencias
Cinta cortada
$4.090
$2.666
$1.868
Envase tipo carrete
$1.868
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 521En existencias
2.500Se espera el 30-04-2027
Cinta cortada
$2.723
$1.333
$1.242
$1.004
Envase tipo carrete
$787
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
2.500Se espera el 30-04-2027
Cinta cortada
$3.270
$1.618
$1.458
$1.173
Envase tipo carrete
$977
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
SMD/SMT DPAK-2 N-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
$6.243
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W GaN-on-Si