PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Tecnología
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
374En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
648En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
768En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
637En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
790En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
693En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
552En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
2.500Se espera el 20-11-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DPAK-2 N-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W GaN-on-Si