T10 Low/Medium Voltage MOSFETs

onsemi T10 Low/Medium Voltage MOSFETs are single N-channel power MOSFETs in 40V and 80V categories with improved performance, enhanced system efficiency, and high power density. These power MOSFETs feature low RDS(on) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The T10 low/medium voltage MOSFETs provide low QRR and a soft recovery body diode. These MOSFETs comply with the RoHS and are Pb-free and Halogen-free/BFR-free. Typical applications include Synchronous Rectification (SR) in DC-DC and AC-DC converters, the primary switch in an isolated DC-DC converter, battery protection, and motor drives.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel, T10M, DFN5, 5x6, SO-8FL, 40 V, 1.8 mohm, 151 A40 V, 1.65 m, 154 A
Hoja de datos
772En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 1.65 mOhms 20 V 3.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel, Logic Level, u8FL, 80V, 5.3mohm, 79 A
Hoja de datos
888En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT WSFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 79 A 5.3 mOhms 20 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 80 V, 1.1 m, 299 A
Hoja de datos
2.000Se espera el 27-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT H-PSOF-8L N-Channel 1 Channel 80 V 299 A 1.1 mOhms 20 V 3.6 V 120 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single N-Channel, T10M, DFN5, STD Gate, SO-8FL 40 V, 4.0 mohm, 77 A
Hoja de datos
1.500Se espera el 17-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.9 mOhms 20 V 3.5 V 12 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate, SO-8FL, 80 V, 4.5 mohm, 94 A
Hoja de datos
1.500Se espera el 24-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 94 A 4.5 mOhms 20 V 3.6 V 15 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate, SO8FL, 80 V, 6.2 mohm, 73 A
Hoja de datos
1.500Se espera el 17-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 73 A 6.2 mOhms 20 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape