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NVMFWS002N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFWS002N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWS002N10MCLT1G
Price: 4175 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-MFWS002N10MCLT1G

Fabricante N.º:

NVMFWS002N10MCLT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL HE

Hoja de datos:

NVMFWS002N10MCLT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$4.175	$4.175
	$2.747	$27.470
	$1.940	$194.000
	$1.772	$886.000
	$1.654	$1.654.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$1.654	$2.481.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	177 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	97 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	164 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	105 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	200 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	30 ns
Serie:	NVMFWS002N10MC
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	250 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns

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NVMFWS002N10MCLT1G Hoja de datos

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMFWS002N10MCL Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS002N10MCL Single N-Channel Power MOSFETs feature a 177A continuous drain current, 2.8mΩ at 10V R_DS(ON), and 100V drain-to-source voltage. The NVMFWS002N10MCL is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.