NVMFWS002N10MCLT1G

onsemi
863-MFWS002N10MCLT1G
NVMFWS002N10MCLT1G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL HE

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Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
100 V
177 A
3.8 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
97 nC
- 55 C
+ 175 C
164 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 105 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 200 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 30 ns
Serie: NVMFWS002N10MC
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 250 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 24 ns
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Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
República de Corea
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVMFWS002N10MCL Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS002N10MCL Single N-Channel Power MOSFETs feature a 177A continuous drain current, 2.8mΩ at 10V RDS(ON), and 100V drain-to-source voltage. The NVMFWS002N10MCL is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.

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Se espera el 09-07-2027
3.000
Se espera el 07-09-2027
Plazo de entrega de fábrica:
52
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 380
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Precio ext.:
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