MOSFET de potencia de SiC de 1,200 V y bajo perfil TO-247-4

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de 1,200 V y bajo perfil TO-247-4 de Wolfspeed cuentan con conmutación de alta velocidad con capacitancias bajas y alto voltaje de bloqueo con baja resistencia ON. Estos MOSFET de potencia reducen las pérdidas de conmutación y los requisitos de enfriamiento, además de minimizar las oscilaciones en la puerta. Los MOSFET de potencia de SiC de 1,200 V incorporan un diodo intrínseco rápido con bajo nivel de recuperación inversa (Qrr). Estos MOSFET de potencia aumentan la densidad de potencia y la frecuencia de conmutación del sistema. Los MOSFETs de potencia de SiC de 1200V vienen en paquetes optimizados con pines de fuente de driver separados y están disponibles en un cuerpo de paquete TO-247-4 de perfil bajo. Estos MOSFET de potencia no contienen halógenos y cumplen con las normas RoHS. Las aplicaciones típicas incluyen el control de motores, cargadores de batería de vehículos eléctricos, convertidores DC/DC de alto voltaje, sistemas de almacenamiento de energía (ESS) solar, PSU empresariales y UPS.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
167En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
428En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
153En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
254En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
386En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
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880En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement