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APT10026L2FLLG

Name: Microchip APT10026L2FLLG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-APT10026L2FLLG
Price: 76604 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

494-APT10026L2FLLG

Fabricante N.º:

APT10026L2FLLG

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS 7 1000 V 260 mOhm TO-264 MAX

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	$76.604	$1.915.100
	$70.152	$7.015.200
250	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-264-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	38 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	260 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	267 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	893 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	39 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns
Peso de la unidad:	10 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

APT10026L2FLL Power MOS 7® FREDFET

Microsemi / Microchip APT10026L2FLL Power MOS 7^® FREDFET is a low loss and high voltage N-channel enhancement mode power MOSFET. This power MOSFET provides 1000V V_DSS, 38A I_D, and 0.26Ω R_DS(on). The Power MOS 7 lowers the R_DS(ON) and Q_g to control the conduction and switching losses. This MOSFETcombines low conduction and switching losses with fast switching speeds inherent with metal gate structure. The APT10026L2FLL Power MOS 7 FREDFET is available in a TO-264 MAX package and is easy to drive. Other features include low input capacitance, lower miller capacitance, and increased power dissipation.