Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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50V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low drain-source on-state resistance [R_DS(ON)]. Each device is ESD-protected up to a 2KV human-body model. For design flexibility, these devices are available in six packages (SOT-363, SOT-563, SC-89, SOT-523, SOT-23, and SOT-323). All PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and have a Green molding compound as per the IEC 61249 standard.

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Resultados: 29

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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$116

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PJE8438_R1_00001
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PJT138K-AU_R1_000A1
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360 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

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236 mW

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJT7838_R1_00001
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$336

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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SOT-23-3

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AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3438_R2_00001
Panjit
12.000: $77,3
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

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Reel

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- 55 C

+ 150 C

236 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJC138K_R2_00001
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$37

$32,5

Min.: 12.000
Mult.: 12.000

Carrete: 12.000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

50 V

360 mA

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

236 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJC7438_R2_00001
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$80,6

Min.: 12.000
Mult.: 12.000

Carrete: 12.000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

50 V

400 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

950 pC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

PJX138K-AU_R1_000A1
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Cinta cortada

$269

$162

$102

$90,7

Envase tipo carrete

$89,6

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4.000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel

2 Channel

50 V

350 mA

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

223 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJX138K_R1_00002
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8.000: $76,2
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N.º de artículo del Fabricante
PJX138K_R1_00002

N.º de artículo de Mouser
241-PJX138K_R1_00002

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Envase tipo carrete

$76,2

$68,3

Min.: 8.000
Mult.: 8.000

Carrete: 8.000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel

2 Channel

50 V

350 mA

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

223 mW

Enhancement

Reel

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