Resultados: 100
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified 3.040En existencias
9.000Se espera el 05-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified 1.090En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 60 V 75 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L 1.907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 37 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified 357En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 145 nC - 55 C + 175 C 157 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A 37W AEC-Q101 Qualified 921En existencias
2.000Se espera el 18-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 15 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 494En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 17.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 108 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement TrenchFET
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
44.150En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 12.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
70.968En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 12.7 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
16.000Se espera el 27-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 260 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified
70.687En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.600

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 95 A 15.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1.591Se espera el 12-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.600

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 300 V 35 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 130 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 86A Id AEC-Q101 Qualified
1.977Se espera el 17-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 86 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
23.279Se espera el 31-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.6 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 2.3 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
47.750Se espera el 06-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK SC-70W-6 N-Channel 1 Channel 30 V 5.63 A 54 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 175 C 13.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SC-70-6L
21.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 13.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
5.356Se espera el 13-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 26 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified
47.990En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 8 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.95 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
1.745Se espera el 10-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 60 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement TrenchFET
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 310 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V 40A 150W AEC-Q101 Qualified No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 130 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds N-Ch AEC-Q101 Qualified No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V - 55 C + 175 C Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 4.5 mohm a. 10V, 6.5 mohm a. 4.5V No en existencias
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 40 V 86 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V No en existencias
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 82 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 300W AEC-Q101 Qualified No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 270 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel