Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQM60030E_GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQSA80ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1440EH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ1464EEH-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified

SQA470EJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
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SQJA88EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA88EP-T1_GE3

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SQ4050EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4050EY-T1_GE3

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SQD50N04-5m6_T4GE3
Vishay Semiconductors
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SQD50N04-5m6_T4GE3

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

AEC-Q101

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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SQJ416EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ416EP-T1_GE3

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SQJ454EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ454EP-T1_GE3

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AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ460AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ460AEP-T1_GE3

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SQJ476EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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9.000Se espera el 19-07-2027

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SQJ476EP-T1_GE3

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1 Channel

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23 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

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+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJA00EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJA00EP-T1_GE3

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1 Channel

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30 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

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+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

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SQJA04EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA04EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

60 V

75 A

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35 nC

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SQJA72EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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1 Channel

100 V

37 A

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- 20 V, 20 V

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20 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

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SQM40020EL_GE3
Vishay / Siliconix
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SQM40020EL_GE3

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D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

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- 20 V, 20 V

1.7 V

108 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJA60EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA60EP-T1_GE3

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78-SQJA60EP-T1_GE3

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

30 A

12.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id

SQ2364EES-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ2364EES-T1_GE3

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78-SQ2364EES-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

240 mOhms

- 8 V, 8 V

460 mV

2.5 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3418EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ3418EV-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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: 3.000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

40 V

8 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

12.7 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJQ402E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $3.986
16.000Se espera el 27-08-2026

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SQJQ402E-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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: 2.000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

260 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified

SQM90142E_GE3
Vishay Semiconductors
1: $4.017
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SQM90142E_GE3

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78-SQM90142E_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified

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$4.017

$2.892

$2.030

$1.609

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

95 A

15.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQM35N30-97_GE3
Vishay Semiconductors
1: $5.847
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SQM35N30-97_GE3

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78-SQM35N30-97_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

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$5.847

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

35 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 86A Id AEC-Q101 Qualified

SQR70090ELR_GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.587
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N.º de artículo del Fabricante
SQR70090ELR_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQR70090ELR_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 86A Id AEC-Q101 Qualified

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$2.587

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$961

$851

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$806

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

86 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.25 A
5.63 A
8 A
9 A
10 A
11.5 A
12 A
13 A
14 A
14.7 A
15 A
16 A
18 A
19 A
20 A
21.4 A

840 uOhms
870 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.4 mOhms
2.45 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.45 mOhms
3.7 mOhms

2.3 nC
2.5 nC
4 nC
4.1 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.2 nC
5.5 nC
6 nC
7.6 nC
7.9 nC
9.7 nC
10.6 nC
11 nC
12.4 nC
12.7 nC
13 nC
17 nC
17.6 nC
18 nC

430 mW
2 W
3 W
3.3 W
5 W
6 W
6.8 W
7.1 W
13.6 W
27 W
31.25 W
39 W
45 W
46 W
48 W
55 W
62 W
62.5 W
68 W
70 W