Resultados: 106
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified 60.461En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 97 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified 288.441En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 60 V 15 A 25.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified 60.948En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 14.7 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified 13.793En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 220 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified 30.481En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8W-8 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 11.076En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 135 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified 38.950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified 32.084En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 72 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified 76.227En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 60 V 32 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 44 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified 201.733En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.7 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 5.2 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified 69.394En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified 48.663En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified 4.141En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 7 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified 4.087En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 17.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L 3.425En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 2.823En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 32 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified 23.948En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 41 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 120A Id AEC-Q101 Qualified 1.463En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified 6.546En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 2.820En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified 3.450En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 75 V 30 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L 3.114En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 20 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 33 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 4.096En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 80 V 150 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 144 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V 25A 136W AEC-Q101 Qualified 4.654En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 51 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified 3.965En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 40 V 16 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel