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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified
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69.394En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified
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3.965En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 40 V 16 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified
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2.649En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 13.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified
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5.540En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 12 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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10.448En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 41 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 62W AEC-Q101 Qualified
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1.531En existencias
3.000Se espera el 25-06-2026
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel