MOSFETs de SiC – Mouser Chile

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UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

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Resultados: 24

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4

UF3C065040K4S
onsemi
1: $19.826
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UF3C065040K4S

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431-UF3C065040K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4

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$19.826

$12.638

$11.963

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

52 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

UF3C120080B7S
onsemi
1: $19.662
713En existencias

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UF3C120080B7S

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431-UF3C120080B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

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Cinta cortada

$19.662

$13.998

$12.331

$11.523

Envase tipo carrete

$11.523

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: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28.8 A

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6 V

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190 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3

UF3C065030T3S
onsemi
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902En existencias

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UF3C065030T3S

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431-UF3C065030T3S

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MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3

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N-Channel

1 Channel

650 V

85 A

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- 25 V, + 25 V

5 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

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UF3C065040K3S
onsemi
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UF3C065040K3S

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$19.948

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Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4

UF3C120040K4S
onsemi
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666En existencias

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Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

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UF3C065030K4S
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UF3C065030K4S

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650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

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441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4

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onsemi
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UF3C065080K4S

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$7.597

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190 W

Enhancement

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SiC FET

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UF3C120400K3S
onsemi
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UF3C120400K3S

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Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

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UF3C120040K3S
onsemi
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UF3C120040K3S

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1.2 kV

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- 25 V, + 25 V

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429 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

UF3C065080B3
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1: $11.728
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25 A

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115 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3

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onsemi
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453En existencias
NRND

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UF3C065030B3

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$17.484

$16.329

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$16.329

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: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

65 A

27 mOhms

- 25 V, + 25 V

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Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-3

UF3C120080K3S
onsemi
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UF3C120080K3S

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TO-247-3

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1 Channel

1.2 kV

33 A

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- 25 V, + 25 V

6 V

51 nC

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+ 175 C

254.2 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7

UF3C065080B7S
onsemi
1: $13.333
200En existencias

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UF3C065080B7S

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MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7

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$6.973

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: 800

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D2PAK-7

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1 Channel

650 V

27 A

85 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

23 nC

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+ 175 C

136.4 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7

UF3C120400B7S
onsemi
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UF3C120400B7S

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431-UF3C120400B7S

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MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7

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$9.458

$6.462

$4.765

$4.438

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$4.438

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SMD/SMT

D2PAK-7

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1 Channel

1.2 kV

5.9 A

410 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

22.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7

UF3C170400B7S
onsemi
1: $11.636
26En existencias
1.600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
UF3C170400B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C170400B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7

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26En existencias

1.600En pedido

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$11.636

$8.037

$6.247

$5.828

Envase tipo carrete

$5.828

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

7.6 A

410 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

23.1 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3

UF3C065030K3S
onsemi
1: $25.654
120En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065030K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030K3S

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MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3

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120En existencias

$25.654

$16.850

$16.758

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Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3

UF3C065080K3S
onsemi
1: $12.219
664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3

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664En existencias

$12.219

$7.392

$6.319

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 12 V, + 12 V

6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3

UF3C065080T3S
onsemi
1: $11.718
507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065080T3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080T3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3

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507En existencias

$11.718

$6.667

$6.145

$6.002

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7

UF3C120150B7S
onsemi
1: $12.556
377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120150B7S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120150B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7

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377En existencias

Cinta cortada

$12.556

$8.711

$6.902

$6.442

Envase tipo carrete

$6.442

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Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

150 mOhms

- 25 V, + 25 V

4.4 V

25.7 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO247-3

UF3C170400K3S
onsemi
1: $11.769
716En existencias
600Se espera el 12-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
UF3C170400K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C170400K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO247-3

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716En existencias

600Se espera el 12-08-2026

$11.769

$7.014

$5.951

$5.920

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

7.6 A

1.07 Ohms

- 25 V, + 25 V

6 V

27.5 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO263-3

UF3C065040B3
onsemi
1: $16.809
191En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040B3

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040B3

NRND

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO263-3

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191En existencias

Cinta cortada

$16.809

$11.861

$10.082

Envase tipo carrete

$9.417

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

41 A

52 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4

UF3C120080K4S
onsemi
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64En existencias
600Se espera el 16-10-2026

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120080K4S

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431-UF3C120080K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4

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64En existencias

600Se espera el 16-10-2026

$22.822

$17.045

$14.744

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

254.2 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO247-4

UF3C120150K4S
onsemi
1: $13.926
64En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF3C120150K4S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120150K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO247-4

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64En existencias

$13.926

$8.640

$7.617

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18.4 A

330 mOhms

- 25 V, + 25 V

3.5 V

25.7 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3

UF3C065040T3S
onsemi
1: $19.816
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
UF3C065040T3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040T3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3

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Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

$19.816

$11.789

$11.758

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

52 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

UF3C SiC FETs

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