QPA1009

Qorvo
772-QPA1009
QPA1009

Fabricante:

Descripción:
Amplificador de RF 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.

Disponibilidad

Existencias:
0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

En pedido:
20
Se espera el 10-06-2026
Plazo de entrega de fábrica:
16
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$437.002 $437.002
$377.910 $3.779.100
$363.205 $7.264.100
260 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Amplificador de RF
Restricciones de envío:
 Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:  
10.7 GHz to 12.7 GHz
16 dB
SMD/SMT
GaN
- 40 C
+ 85 C
QPA1009
Tray
Marca: Qorvo
Pérdida de retorno de entrada: 18 dB
Sensibles a la humedad: Yes
Número de canales: 1 Channel
Dp - Disipación de potencia : 59.5 W
Tipo de producto: RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica: 20
Subcategoría: Wireless & RF Integrated Circuits
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
TARIC:
8542330000
MXHTS:
8542330299
ECCN:
3A001.b.2.b.2

QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier

Qorvo QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier operates from 10.7GHz to 12.7GHz, delivering 42dBm of saturated output power and 16dB of large signal gain while achieving 33% power-added efficiency. The QPA1009 RF ports have DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. The device's RF input port is DC coupled to ground for optimum ESD performance. The QPA1009 is fabricated on a 0.15µm QGaN15 GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is 100% DC and RF tested to ensure compliance with electrical specifications.