Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.2 Amps 500V 30 Rds
IXTY02N50D
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IGBTs 1200V XPT GenX3 IGBT
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IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
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Rectificadores en puente 110 Amps 800V
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Relés de Estado Sólido - Montaje en tarjeta de circuito impreso Single Pole Relay 350V 120mA
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Relés de Estado Sólido - Montaje en tarjeta de circuito impreso 1-Form-B; 350V,130mA 5000Vrms Isolation
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Relés de Estado Sólido - Montaje en tarjeta de circuito impreso 250V 200mA Dual Single-Pole
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Rectificadores Phase Control Thyristor
W1263YC160
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MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
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LSIC1MO120E0160
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V
DPG60C300HB
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Rectificadores en puente 22 Amps 1600V
FUO22-16N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
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IXFH34N65X2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFK250N10P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
IXFQ94N30P3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds
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IXFR140N20P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 44A
IXFT44N50P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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IXFX150N30P3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180A 250V
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IXFX180N25T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
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IXFX80N50Q3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
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IXFX80N60P3
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IGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds
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IXGH50N90B2D1
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IGBTs 30 Amps 1200V
IXGP30N120B3
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IGBTs 30 Amps 1200V
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IGBTs 30 Amps 1200V
IXGT30N120B3D1
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747-IXGT30N120B3D1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) >1200V High Voltage Power MOSFET
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IXTH12N150
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747-IXTH12N150
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) >1200V High Voltage Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL
IXTH1N170DHV
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N.º de artículo de Mouser
747-IXTH1N170DHV
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL
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