Ampleon Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM7G1822S-40PBG/SOT1212/REELD
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM8D1822S-50PBG/SOT1212/REELD
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D0708-05AM/LGA-7x7/REELDP
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D0910-05AM/LGA-7x7/REELDP
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1819-08AM/LGA-7x7/REELDP
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1920-08AM/LGA-7x7/REELDP
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2022-08AM/LGA-7x7/REELDP
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2324-08AM/LGA-7x7/REELDP
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2527-09AM/LGA-7x7/REELDP
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2527-09AM/LGA-7x7/REELDP
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D3336-12AM/LGA-7x7/REELDP
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D3336-14AM/LGA-7x7/REELDP
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D3438-16AM/LGA-7x7/REELDP
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D3538-12AM/LGA-7x7/REELDP
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Min.: 1.000
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D3740-16AM/LGA-7x7/REELDP
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D3740-16AM/LGA-7x7/REELDP
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D3842-16AM/LGA-7x7/REELDP
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30G/TO270/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30G/TO270/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30/SOT1482/REELDP
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20GZ/SOT1483/REELDP
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20Z/SOT1482/REELDP
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500