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VS-4C30ET12S2L-M3

Name: Vishay VS-4C30ET12S2L-M3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C30ET12S2L-M3
Price: 10497 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

78-VS-4C30ET12S2L-M3

Fabricante N.º:

VS-4C30ET12S2L-M3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

VS-4C30ET12S2L-M3 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Paquete / Cubierta:	TO-263AB-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	30 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.36 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	144 A
Ir - Corriente inversa:	550 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	VS-4C30ET12S2L-M3
Marca:	Vishay Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	HK
Dp - Disipación de potencia :	250 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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VS-4C30ET12S2L-M3 Hoja de datos (PDF)

Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.