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VS-4C16ET07S2LHM3

Name: Vishay VS-4C16ET07S2LHM3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C16ET07S2LHM3
Price: 5723 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

78-VS-4C16ET07S2LHM3

Fabricante N.º:

VS-4C16ET07S2LHM3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

VS-4C16ET07S2LHM3 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263AB-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	16 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.3 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	101 A
Ir - Corriente inversa:	94 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	VS-4C16ET07S2LHM3
Marca:	Vishay Semiconductors
Dp - Disipación de potencia :	103 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V

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Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.