Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

UF3SC120009K4S

Name: onsemi UF3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC120009K4S
Price: 72889 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

431-UF3SC120009K4S

Fabricante N.º:

UF3SC120009K4S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC 1200V/9MOSICFETG3TO247-4

Hoja de datos:

UF3SC120009K4S Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi UF3SC120009K4S

En existencias: 511

Existencias:: 511 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 31 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$72.889	$72.889
	$60.422	$604.220

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	234 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	789 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	SiC FET
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Serie:	UF3SC
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Peso de la unidad:	6 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

UF3SC120009K4S Hoja de datos

Models

UF3SC120009K4S SPICE (Texto)

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs

onsemi UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs are silicon carbide devices with low R_DS(on) of 7mΩ to 45mΩ built for fast switching speeds and lower switching losses. These devices are based on a unique cascode circuit configuration and exhibit an ultra-low gate charge. The cascode configuration employs a normally-on SiC JFET co-packaged with a Silicon MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow a true "drop-in replacement" to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These SiC FETs include low intrinsic capacitance and excellent reverse recovery. onsemi UF3SC FETs operate at -55°C to +175°C temperature range and a -20V to +20V gate-source voltage range. These SiC FETs are ideal for electric-vehicle (EV) charging, photovoltaic (PV) inverters, motor drives, switch-mode power supplies, power factor correction (PFC) modules, and induction heating. The onsemi UF3SC SiC FETs are available in TO-247-3L and TO-247-4L package options for faster switching and clean gate waveforms.