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UF3C065030K3S

Name: onsemi UF3C065030K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C065030K3S
Price: 22926 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

431-UF3C065030K3S

Fabricante N.º:

UF3C065030K3S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3

Hoja de datos:

UF3C065030K3S Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$16.050	$160.500
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	85 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	35 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	51 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	441 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	SiC FET
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Serie:	UF3C
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Peso de la unidad:	6 g

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Hoja de datos

UF3C065030K3S Hoja de datos

Models

SPICE Model/UF3C065030K3S (Texto)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.