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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)

TPH2R306NH1,LQ
Toshiba
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TPH2R306NH1,LQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)

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TPH2R306NH1,LQ
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