TGF2929-FS

Qorvo
772-TGF2929-FS
TGF2929-FS

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Mínimo: 25   Múltiples: 25
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$547.709 $13.692.725

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
NI-360
N-Channel
28 V
12 A
- 7 V, + 2 V
- 2.9 V
144 W
Marca: Qorvo
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Tray
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: TGF2929
Cantidad de empaque de fábrica: 25
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN-on-SiC
Tipo: RF Power MOSFET
Alias de las piezas n.º: TGF2929 1123716
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

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CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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