STGYA120M65DF2

STMicroelectronics
511-STGYA120M65DF2
STGYA120M65DF2

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
Max247-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
160 A
625 W
- 55 C
+ 175 C
STGYA120M65DF2
Tube
Marca: STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector: 160 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 uA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 4,430 g
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Atributos seleccionados: 0

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PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

En existencias: 361

Existencias:
361 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$11.190 $11.190
$5.984 $59.840
$4.890 $489.000
$4.859 $2.915.400
3.000 Presupuesto

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