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SGT190R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT190R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT190R70ILB
Price: 1310 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-SGT190R70ILB

Fabricante N.º:

SGT190R70ILB

Fabricante:

STMicroelectronics

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	$1.280	$7.680.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	GaN FETs
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-8
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	700 V
Id - Corriente de drenaje continua:	11.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	190 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	2.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	83 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tiempo de caída:	4 ns
Empaquetado:	Reel
Producto:	FET
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	4 ns
Serie:	SGT
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor
Tiempo de retardo de apagado típico:	1.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	1.4 ns