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SCT4036DRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4036DRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4036DRC15
Price: 13048 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SCT4036DRC15

Fabricante N.º:

SCT4036DRC15

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFETs de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

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	$7.918	$79.180
	$6.765	$676.500
	$6.384	$2.872.800

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4L
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	42 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	47 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	72 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	136 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	10 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	Power MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	21 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	36 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.5 ns

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.