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RGS80TSX2GC11

Name: ROHM Semiconductor RGS80TSX2GC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS80TSX2GC11
Price: 12432 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RGS80TSX2GC11

Fabricante N.º:

RGS80TSX2GC11

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, Field Stop Trench IGBT

Hoja de datos:

RGS80TSX2GC11 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$12.432	$12.432
	$7.426	$74.260
	$6.328	$632.800
	$6.317	$2.842.650
	$5.902	$5.311.800

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247N-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.1 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	30 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	80 A
Dp - Disipación de potencia :	555 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
Corriente de fuga puerta-emisor:	500 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	IGBTs
Alias de las piezas n.º:	RGS80TSX2

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs are 10µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) guaranteed Insulated Gate Bipolar Transistors, suitable for general inverter, UPS, PV inverters, and power conditioner applications. The RGSx0TSX2x IGBTs offer low conduction loss that contributes to reduced size and improved efficiency. These devices utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help achieve low collector-emitter saturation voltage (V_CE(sat)) with reduced switching losses. These IGBTs provide increased energy savings in a variety of high voltage and high current applications.