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RBR40NS60ATL

Name: ROHM Semiconductor RBR40NS60ATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RBR40NS60ATL
Price: 2816 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

755-RBR40NS60ATL

Fabricante N.º:

RBR40NS60ATL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Rectificadores y diodos Schottky Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 40A, TO-263S (D2PAK)

Hoja de datos:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$2.816	$2.816
	$1.822	$18.220
	$1.260	$126.000
	$1.034	$517.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$934	$934.000
	$844	$1.688.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Rectificadores y diodos Schottky
RoHS:
REACH - SVHC:
Producto:	Schottky Diodes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-3
Configuración:	Dual Anode Common Cathode
Tecnología:	Si
If - Corriente directa:	40 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	60 V
Vf - Tensión directa:	600 mV
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	100 A
Ir - Corriente inversa:	800 uA
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Tipo de producto:	Schottky Diodes & Rectifiers
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	60 V
Alias de las piezas n.º:	RBR40NS60A

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Technical Resources

Test/Quality Data

USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RBRxx60ATL Low VF Type Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBRxx60ATL Schottky Barrier Diodes are cathode common dual type low V_F diodes with 60V reverse direct voltage (V_R). These diodes offer high reliability, 60V repetitive reverse voltage (V_RM), and operate at -55°C to +150°C temperature range. ROHM Semiconductor RBRxx60ATL barrier diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction and come in either TO-263S (D²PAK) or TO-252 (DPAK) packages. These Schottky barrier diodes are ideally suited for switching power supplies.

RBR40NS Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBR40NS Schottky Barrier Diodes are designed for use in switching power supplies and feature 100A peak forward surge current. These diodes offer high reliability, low forward voltage, and 40A average rectified forward current. The RBR40NS Schottky barrier diodes are available in three variants with 30V, 40V, and 60V repetitive peak reverse voltages. These diodes are designed using silicon epitaxial planar type construction and come in a TO-263AB (D2PAK) package. The RBR40NS Schottky barrier diodes are RoHS compliant and operate within the -55°C to 150°C temperature range.