QH8KC5TCR

ROHM Semiconductor
755-QH8KC5TCR
QH8KC5TCR

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSMT-8
N-Channel
2 Channel
60 V
3 A
90 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
3.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 3.1 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 1.3 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 4.8 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 13 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 5.3 ns
Alias de las piezas n.º: QH8KC5
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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En existencias: 9.604

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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