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NVH4L022N120M3S

Name: onsemi NVH4L022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L022N120M3S
Price: 29394 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVH4L022N120M3S

Fabricante N.º:

NVH4L022N120M3S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Hoja de datos:

NVH4L022N120M3S Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$24.490	$244.900
	$22.983	$2.757.960
	$22.973	$11.716.230
1.020	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	68 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	30 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.4 V
Qg - Carga de puerta:	151 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	352 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	34 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	24 ns
Serie:	NVH4L022N120M3S
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	48 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns

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Hoja de datos

NVH4L022N120M3S Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

M3S 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi M3S 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are optimized for fast switching applications. The planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. The onsemi M3S 1200V MOSFETs provide optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive. The M3S offers low switching losses and is housed in a TO247-4LD package for low common source inductance.

NVH4L022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

ON Semiconductor NVH4L022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The ON Semiconductor NVH4L022N120M3S features low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.