NTMFS2D1N08XT1G

onsemi
863-NTMFS2D1N08XT1G
NTMFS2D1N08XT1G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
80 V
201 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
164 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 158 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 9 ns
Serie: NTMFS2D1N08X
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 42 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 29 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Malasia
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
Japón
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

En existencias: 272

Existencias:
272
Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
13.500
Se espera el 25-09-2026
27.000
10.500
Se espera el 28-09-2026
16.500
Se espera el 02-04-2027
Plazo de entrega de fábrica:
27
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 1500
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.734 $3.734
$2.209 $22.090
$1.704 $170.400
$1.409 $704.500
$1.252 $1.252.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
$1.252 $1.878.000

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