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MRFE6VP6300HR5

Name: NXP MRFE6VP6300HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRFE6VP6300HR5
Price: 371799 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

841-MRFE6VP6300HR5

Fabricante N.º:

MRFE6VP6300HR5

Fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4

Hoja de datos:

MRFE6VP6300HR5 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$371.799	$371.799
	$309.339	$3.093.390
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)
	$309.339	$15.466.950
100	Presupuesto

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	130 V
Frecuencia de trabajo:	1.8 MHz to 600 MHz
Ganancia:	26.5 dB
Potencia de salida:	300 W
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	NI-780-4
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	NXP Semiconductors
Número de canales:	2 Channel
Dp - Disipación de potencia :	1.05 kW
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRFE6VP6300H
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.7 V
Alias de las piezas n.º:	935317343178
Peso de la unidad:	6,396 g

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Hoja de datos

MRFE6VP6300HR5 Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs

NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 V_SWR, a 50V_DC, 230MHz at all phase angles.