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MR25H40CDF

Name: Everspin Technologies MR25H40CDF
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR25H40CDF
Price: 25920 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

936-MR25H40CDF

Fabricante N.º:

MR25H40CDF

Fabricante:

Everspin Technologies

Descripción:

Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI

Hoja de datos:

MR25H40CDF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$25.920	$25.920
	$24.008	$240.080
	$23.241	$581.025
	$22.678	$1.133.900
	$22.116	$2.211.600
	$21.390	$5.347.500
	$21.380	$12.186.600

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

MR25H40CDFR

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$26.523

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Everspin Technologies
Categoría de producto:	Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Tipo de interfaz:	SPI
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	512 k x 8
Ancho de bus de datos:	8 bit
Tiempo de acceso:	25 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de suministro operativa:	13.8 mA, 33 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	MR25H40
Empaquetado:	Tray
Marca:	Everspin Technologies
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Dp - Disipación de potencia :	600 mW
Tipo de producto:	MRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	570
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	Serial I/O (SPI)
Peso de la unidad:	37,400 mg

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes.