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MR0A08BCMA35R

Name: Everspin Technologies MR0A08BCMA35R
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR0A08BCMA35R
Price: 18558 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

936-MR0A08BCMA35R

Fabricante N.º:

MR0A08BCMA35R

Fabricante:

Everspin Technologies

Descripción:

Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Hoja de datos:

MR0A08BCMA35R Hoja de datos (PDF)

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

MR0A08BCMA35

Embalaje:

Tray

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$22.098

Mín.:

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Fabricante:

Everspin Technologies

Fabricante N.º:

MR0A08BCMA35

Descripción:

Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Everspin Technologies
Categoría de producto:	Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:
Paquete / Cubierta:	BGA-48
Tipo de interfaz:	Parallel
Tamaño de memoria:	1 Mbit
Organización:	128 k x 8
Ancho de bus de datos:	8 bit
Tiempo de acceso:	35 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de suministro operativa:	25 mA, 55 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	MR0A08B
Empaquetado:	Reel
Marca:	Everspin Technologies
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Dp - Disipación de potencia :	600 mW
Tipo de producto:	MRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	Parallel I/O (x8)

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PCN

Alternative Format for Trace Codes (PDF)

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CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8471600499
ECCN:: EAR99

MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance.