MASTERGAN1LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1LTR
MASTERGAN1LTR

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
Complete su diseño

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre STMicroelectronics MASTERGAN1LTR

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
17 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
Marca: STMicroelectronics
Tiempo de retardo de apagado máximo: 45 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo: 45 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Corriente de suministro operativa: 10 A
Dp - Disipación de potencia : 40 mW
Tipo de producto: Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.: 70 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 330 mOhms
Apagado: Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.

En existencias: 1.274

Existencias:
1.274 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 1274 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$8.182 $8.182
$6.342 $63.420
$5.879 $146.975
$5.427 $542.700
$5.269 $1.317.250
$5.174 $5.174.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$4.974 $14.922.000

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.