KTDM2G3C618BGIEAT

Name: SMART KTDM2G3C618BGIEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M2G3C618BGIEAT
Price: 10615 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

473-M2G3C618BGIEAT

Fabricante N.º:

KTDM2G3C618BGIEAT

Fabricante:

SMARTsemi

Descripción:

DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 125MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Industrial

Hoja de datos:

KTDM2G3C618BGIEAT Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SMART
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR3L
Tamaño de memoria:	2 Gbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	933 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-96
Organización:	128 M x 16
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.283 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.575 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Empaquetado:	Tray
Marca:	SMARTsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	198
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.