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IGT65R025D2ATMA1

Name: Infineon IGT65R025D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGT65R025D2ATMA1
Price: 13126 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IGT65R025D2ATMA1

Fabricante N.º:

IGT65R025D2ATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Ciclo de vida:

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	$13.126	$13.126
	$10.685	$106.850
	$8.904	$890.400
	$7.941	$3.970.500
	$7.470	$7.470.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$6.339	$12.678.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PG-HSOF-8
Polaridad del transistor:	HEMT
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	70 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	30 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.6 V
Qg - Carga de puerta:	11 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	236 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolGaN
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Transistors
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	12 ns
Serie:	650V G5
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	CoolGaN Transistor
Tiempo de retardo de apagado típico:	18 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Alias de las piezas n.º:	IGT65R025D2 SP006026239

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.