Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

GP2T040A120J

Name: SemiQ GP2T040A120J
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T040A120J
Price: 13216 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

148-GP2T040A120J

Fabricante N.º:

GP2T040A120J

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

MOSFETs de SiC 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET

Hoja de datos:

GP2T040A120J Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre SemiQ GP2T040A120J

En existencias: 25

Existencias:: 25 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$13.216	$13.216
	$10.338	$103.380
	$8.602	$860.200
	$7.672	$3.836.000
	$6.507	$6.507.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	66 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	38 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	112 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	357 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	16 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	5 ns
Serie:	GP2T020A120
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

GP2T040A120J Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.