Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

GE06MPS06Q-TR

Name: Navitas Semiconductor GE06MPS06Q-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE06MPS06Q-TR
Price: 1344 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

905-GE06MPS06Q-TR

Fabricante N.º:

GE06MPS06Q-TR

Fabricante:

GeneSiC Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

GE06MPS06Q-TR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre GeneSiC Semiconductor GE06MPS06Q-TR

En existencias: 2.978

Existencias:: 2.978 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$1.344	$1.344
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$1.344	$4.032.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Navitas Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-8
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	6 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.25 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	33 A
Ir - Corriente inversa:	1 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	SiC Schottky MPS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	GeneSiC Semiconductor
Dp - Disipación de potencia :	133 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

GE06MPS06Q-TR Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.