GCMX005A120S3B1-N

SemiQ
148-GCMX005A120S3B1N
GCMX005A120S3B1-N

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module

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20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 15   Múltiples: 15
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$171.380 $2.570.700
105 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
SemiQ
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
SiC
Screw Mount
S3
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
424 A
7 mOhms
- 5 V, + 20 V
4 V
- 40 C
+ 150 C
1.531 kW
GCMX
Bulk
Marca: SemiQ
Tiempo de caída: 24 ns
Altura: 30.9 mm
Longitud: 106.4 mm
Producto: Modules
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de subida: 18 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 15
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Tipo: Half Bridge Module
Tiempo de retardo de apagado típico: 114 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 65 ns
Vf - Tensión directa: 4 V
Ancho: 61.4 mm
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Módulos de medio puente MOSFET SiC de 1,200 V GCMX

Los módulos de medio puente MOSFET SiC de 1200 V GCMX de SemiQ ofrecen bajo nivel de pérdidas de conmutación, baja resistencia térmica de unión a carcasa y montaje muy resistente y sencillo. Estos módulos se montan directamente en el disipador térmico (paquete aislado) e incluyen una referencia Kelvin para un funcionamiento estable. Todas las piezas se han probado rigurosamente para resistir voltajes superiores a 1350 V. La característica destacada de estos módulos es el sólido voltaje de fuente de drenado de 1200 V. Los módulos de medio puente GCMX funcionan a una temperatura de unión de 175°C y cumplen con las normas RoHS. Las aplicaciones típicas incluyen inversores fotovoltaicos, cargadores de batería, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores CC a CC de alto voltaje.

GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET

SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC™ MOSFET offers enhanced design flexibility and performance in current applications. The QSiC MOSFET operates with near-zero switching loss, increasing efficiency while reducing heat dissipation and the need for large heatsinks. Standing at 26.3mm in height with an industry-standard 62mm footprint, this module addresses the size, weight, and power demands of challenging applications. SemiQ GCMX005A120S3B1-N QSiC MOSFET features a 400A current rating and is suitable for induction heaters, welding equipment, and uninterruptible power supplies (UPS).

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