Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

FFSB0865B-F085

Name: onsemi FFSB0865B-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSB0865B-F085
Price: 5690 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-FFSB0865B-F085

Fabricante N.º:

FFSB0865B-F085

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V 8A SIC SBD GEN1.5

Hoja de datos:

FFSB0865B-F085 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi FFSB0865B-F085

En existencias: 867

Existencias:: 867 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 8 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$5.690	$5.690
	$3.786	$37.860
	$2.699	$269.900
	$2.397	$1.198.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$2.173	$1.738.400
	$2.094	$5.025.600
9.600	Presupuesto

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	8 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.39 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	56 A
Ir - Corriente inversa:	500 nA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSB0865B-F085
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Dp - Disipación de potencia :	73 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	650 V
Peso de la unidad:	2,240 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

FFSB0865B-F085 Hoja de datos

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

FFSx0865B-F085 650V SiC Schottky Diodes

onsemi FFSx0865B-F085 650V 8A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSx0865B-F085 SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, reduced system size, and increased cost-effectiveness. The FFSx0865B-F085 650V, 8A SiC Schottky Diodes are available in a D2PAK-3 package.