FFSB0665B-F085

onsemi
863-FFSB0665B-F085
FFSB0665B-F085

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC 650V 6A SIC SBD GEN1.5

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 859

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
$4.782 $4.782
$3.203 $32.030
$2.262 $226.200
$1.938 $969.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
$1.938 $1.550.400
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-2
Single
6 A
650 V
1.38 V
45 A
500 nA
- 55 C
+ 175 C
FFSB0665B-F085
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: onsemi
Dp - Disipación de potencia : 61 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Nombre comercial: EliteSiC
Vr - Tensión inversa: 650 V
Peso de la unidad: 2,240 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

FFSx0665B-F085 650V SiC Schottky Diodes

onsemi FFSx0665B-F085 650V, 6A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSx0665B-F085 SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The FFSx0665B-F085 650V, 6A SiC Schottky Diodes are available in a D2PAK-3 package.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

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